SEMICONDUCTOR ANALYSISHBM4E 시대, 하이브리드 본딩반도체 판도 바꾼다삼성전자 · SK하이닉스 · 관련 밸류체인 심층 분석📌 핵심 요약삼성전자는 이르면 2028년 HBM4E 16단부터 하이브리드 본딩(HCB)을 적용할 계획이다. HBM5 20단부터는 본격 양산에 들어가며, 이 기술 전환은 장비·소재·검사 밸류체인 전체를 재편할 게임 체인저다.왜 하이브리드 본딩인가현재 HBM 제조에는 열압착(TC) 본딩 방식이 사용된다. 칩 사이에 솔더 범프를 넣고 열과 압력으로 접합하는 기술이다. HBM3E 12단까지는 이 방식으로 충분했지만, 16단 이상으로 적층이 올라가면 상황이 달라진다.775μm라는 제한된 폼팩터 안에 16개 이상의 D램과 로직 다이를 쌓아야 하기 때문에, 칩 간 간격을 극한..